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详细参数
型号:SI5485DU-T1-GE3
类别:FET - 单
制造商:Vishay Siliconix
封装:PowerPAK? CHIPFET? 单
描述:MOSFET P-CH 20V 12A PPAK CHIPFET
系列:TrenchFET®
FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:20V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:12A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:25 毫欧 @ 5.9A,4.5V
Id时的Vgs333th444111最大222:1.5V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:42nC @ 8V
输入电容333Ciss4440a0Vds:1100pF @ 10V
功率_最大:31W
安装类型:表面贴装
封装__外壳:PowerPAK? CHIPFET? 单
供应商设备封装:PowerPAK? ChipFET 单通道
包装:带卷 (TR)
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厂 商:VISAY [ Vishay Siliconix ]
描 述:P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
大 小:131K
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