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型号：  厂家：  批号：  封装：  精确搜索 
详细参数
型号：SI4922BDY-T1-GE3
类别：FET - 阵列
制造商：Vishay Siliconix
封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
描述：MOSFET N-CH DUAL 30V 8-SOIC
系列：TrenchFET®
FET型：2 个 N 沟道（双）
FET特点：标准
漏极至源极电压333Vdss444：30V
电流_连续漏极333Id4440a025000C：8A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：16 毫欧 @ 5A，10V
Id时的Vgs333th444111最大222：1.8V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs：62nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds：2070pF @ 15V
功率_最大：3.1W
安装类型：表面贴装
封装__外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商设备封装：8-SOIC N
包装：带卷 (TR)
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SI4922BDY-T1-GE3 PDF下载
厂 商：VISHAY [ Vishay Siliconix ]
描 述：N-Channel 20 V (D-S) MOSFET
大 小：282K
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SI4922BDY-T1-GE3
Vishay/Siliconix
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SI4922BDY-T1-GE3
VISHAY
21+
6000
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SI4922BDY-T1-GE3
VISHAY/威世
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Si4922BDY-T1-GE3
VISHAY
2019+
15000
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SI4922BDY-T1-GE3
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SI4922BDY-T1-GE3
SILICONIXVISHAY
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SI4922BDY-T1-GE3
VISHAY
24+
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