型号:SI4920DY-T1-GE3
类别:FET - 阵列
制造商:Vishay Siliconix
封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
描述:MOSFET DUAL N-CH 30V 8-SOIC
系列:TrenchFET®
FET型:2 个 N 沟道(双)
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:30V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:-
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:25 毫欧 @ 6.9A,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:1V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:23nC @ 5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:-
功率_最大:-
安装类型:表面贴装
封装__外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装:8-SOIC N
包装:带卷 (TR)
厂 商:VISHAY [ Vishay Siliconix ]
描 述:N-Channel 20 V (D-S) MOSFET
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