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型号：  厂家：  批号：  封装：  精确搜索 
详细参数
型号：SI4900DY-T1-E3
类别：FET - 阵列
制造商：Vishay Siliconix
封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
描述：MOSFET N-CH DUAL 60V 5.3A 8-SOIC
系列：TrenchFET®
FET型：2 个 N 沟道（双）
FET特点：逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444：60V
电流_连续漏极333Id4440a025000C：5.3A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：58 毫欧 @ 4.3A，10V
Id时的Vgs333th444111最大222：3V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds：665pF @ 15V
功率_最大：2W
安装类型：表面贴装
封装__外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商设备封装：8-SOIC N
包装：剪切带 (CT)
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SI4920DY-E3 PDF下载
厂 商：VISHAY [ Vishay Siliconix ]
描 述：N-Channel 20 V (D-S) MOSFET
大 小：282K
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SI4920DY-E3
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