SI4461-C2A-GM参数(2020年),SI4461-C2A-GM中文资料,SI4461-C2A-GM供应商,SI4461-C2A-GM最新价格,SI4461-C2A-GM货源信息,pdf资料【51电子网】

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详细参数

型号：SI4401BDY-T1-E3

类别：FET - 单

制造商：Vishay Siliconix

封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

描述：MOSFET P-CH 40V 8.7A 8-SOIC

系列：TrenchFET®

FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物

FET特点：逻辑电平门

漏极至源极电压333Vdss444：40V

电流_连续漏极333Id4440a025000C：8.7A

开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：14 毫欧 @ 10.5A，10V

Id时的Vgs333th444111最大222：3V @ 250µA

闸电荷333Qg4440a0Vgs：55nC @ 5V

输入电容333Ciss4440a0Vds：-

功率_最大：1.5W

安装类型：表面贴装

封装__外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商设备封装：8-SOIC N

包装：剪切带 (CT)

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厂商：VISHAY [ Vishay Siliconix ]

描述：N-Channel 20 V (D-S) MOSFET

大小：282K

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