型号:SI4286DY-T1-GE3
类别:FET - 阵列
制造商:Vishay Siliconix
封装:*
描述:MOSFET DUAL N-CHAN 40V SO-8
系列:TrenchFET®
FET型:2 个 N 沟道(双)
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:40V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:5.7A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:32.5 mOhm @ 8A, 10V
Id时的Vgs333th444111最大222:2.5V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:10.5nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:375pF @ 20V
功率_最大:1.9W
安装类型:*
封装__外壳:*
供应商设备封装:*
包装:*
厂 商:VISHAY [ Vishay Siliconix ]
描 述:Dual N-Channel 40 V (D-S) MOSFET
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