型号:SI4100DY-T1-E3
类别:FET - 单
制造商:Vishay Siliconix
封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
描述:MOSFET N-CH D-S 100V 8-SOIC
系列:TrenchFET®
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:100V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:6.8A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:63 毫欧 @ 4.4A,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:4.5V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:600pF @ 50V
功率_最大:6W
安装类型:表面贴装
封装__外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装:8-SOIC N
包装:带卷 (TR)
厂 商:VISHAY [ Vishay Siliconix ]
描 述:N-Channel 20 V (D-S) MOSFET
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