型号：SI4100DY-T1-E3
类别：FET - 单
制造商：Vishay Siliconix
封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
描述：MOSFET N-CH D-S 100V 8-SOIC
系列：TrenchFET®
FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET特点：标准
漏极至源极电压333Vdss444：100V
电流_连续漏极333Id4440a025000C：6.8A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：63 毫欧 @ 4.4A，10V
Id时的Vgs333th444111最大222：4.5V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds：600pF @ 50V
功率_最大：6W
安装类型：表面贴装
封装__外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商设备封装：8-SOIC N
包装：带卷 (TR)
厂 商：VISHAY [ Vishay Siliconix ]
描 述：N-Channel 20 V (D-S) MOSFET
大 小：282K
