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详细参数
型号:SI2319DS-T1-E3
类别:FET - 单
制造商:Vishay Siliconix
封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
描述:MOSFET P-CH 40V 2.3A SOT23-3
系列:TrenchFET®
FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:40V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:2.3A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:82 毫欧 @ 3A,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:3V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:17nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:470pF @ 20V
功率_最大:750mW
安装类型:表面贴装
封装__外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236)
包装:Digi-Reel®
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厂 商:VISAY [ Vishay Siliconix ]
描 述:P-Channel 40-V (D-S) MOSFET
大 小:63K
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