型号：SI2309CDS-T1-GE3
类别：FET - 单
制造商：Vishay Siliconix
封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
描述：MOSFET P-CH 60V SOT23-3
系列：TrenchFET®
FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET特点：逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444：60V
电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.6A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：345 毫欧 @ 1.25A，10V
Id时的Vgs333th444111最大222：3V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs：4.1nC @ 4.5V
输入电容333Ciss4440a0Vds：210pF @ 30V
功率_最大：1.7W
安装类型：表面贴装
封装__外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商设备封装：SOT-23-3（TO-236）
包装：剪切带 (CT)
厂 商：VISAY [ Vishay Siliconix ]
描 述：P-Channel 60-V (D-S) MOSFET
大 小：110K
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