型号：SI2308BDS-T1-GE3
类别：FET - 单
制造商：Vishay Siliconix
封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
描述：MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3
系列：TrenchFET®
FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET特点：逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444：60V
电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.3A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：156 毫欧 @ 1.9A，10V
Id时的Vgs333th444111最大222：3V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs：6.8nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds：190pF @ 30V
功率_最大：1.66W
安装类型：表面贴装
封装__外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商设备封装：SOT-23-3（TO-236）
包装：Digi-Reel®
厂 商：SILABS [ Silicon Laboratories ]
描 述：SATELLITE RECEIVER FOR DVB-S/DSS
大 小：975K
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