型号:SH8M4TB1
类别:FET - 阵列
制造商:Rohm Semiconductor
封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
描述:MOSFET N+P 30V 9A/7A 8-SOIC
系列:-
FET型:N 和 P 沟道
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:30V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:9A,7A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:18 毫欧 @ 9A,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:2.5V @ 1mA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:15nC @ 5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:1190pF @ 10V
功率_最大:2W
安装类型:表面贴装
封装__外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装:8-SOIC N
包装:剪切带 (CT)
厂 商:ST [ STMICROELECTRONICS ]
描 述:Wide Band, Rail-to-Rail Operational Amplifier with Standby Function
大 小:440K