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详细参数
型号:S829D25C0HN6TJ5R
类别:陶瓷
制造商:Vishay BC Components
封装:径向,圆盘
描述:CAP CER 8.2PF 1KV RADIAL
系列:S
电容:8.2pF
电压_额定:1000V(1kV)
容差:±0.5pF
温度系数:C0H
安装类型:通孔
工作温度:-55°C ~ 125°C
应用:通用
等级:-
封装__外壳:径向,圆盘
大小__尺寸:-
高度_安装111最大值222:-
厚度:
厚度111最大值222:-
引线间距:-
特性:-
包装:带卷 (TR)
故障率:
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厂 商:POLYFET [ Polyfet RF Devices ]
描 述:SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR
大 小:38K
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查询更多S829D25C0HN6TJ5R供应信息         发布时间:1970/1/1 8:00:00

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