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详细参数
型号:RSS100N03FU6TB
类别:FET - 单
制造商:Rohm Semiconductor
封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
描述:MOSFET N-CH 30V 10A 8SOIC
系列:-
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:30V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:10A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:13 毫欧 @ 10A,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:2.5V @ 1mA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:14nC @ 5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:1070pF @ 10V
功率_最大:2W
安装类型:表面贴装
封装__外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装:8-SOP
包装:带卷 (TR)
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厂 商:RECOM [ Recom International Power ]
描 述:1 Watt SMD Single & Dual Output
大 小:255K
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