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详细参数
型号:RSM002P03T2L
类别:FET - 单
制造商:Rohm Semiconductor
封装:SOT-723
描述:MOSFET P-CH 30V 200MA VMT3
系列:-
FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:30V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:200mA
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:1.4 欧姆 @ 200mA,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:2.5V @ 1mA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:-
输入电容333Ciss4440a0Vds:30pF @ 10V
功率_最大:150mW
安装类型:表面贴装
封装__外壳:SOT-723
供应商设备封装:VMT3
包装:剪切带 (CT)
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厂 商:ROHM [ Rohm ]
描 述:4V Drive Pch MOS FET
大 小:66K
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查询更多RSM04-0301J160供应信息         发布时间:1970/1/1 8:00:00

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