型号：RSD200N10TL
类别：FET - 单
制造商：Rohm Semiconductor
封装：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
描述：MOSFET N-CH 100V 20A CPT3
系列：-
FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET特点：逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444：100V
电流_连续漏极333Id4440a025000C：20A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：52 毫欧 @ 10A，10V
Id时的Vgs333th444111最大222：2.5V @ 1mA
闸电荷333Qg4440a0Vgs：48.5nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds：2200pF @ 25V
功率_最大：20W
安装类型：表面贴装
封装__外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商设备封装：CPT3
包装：剪切带 (CT)
厂 商：RECOM [ Recom International Power ]
描 述：1 Watt SMD Single & Dual Output
大 小：129K
