型号：RQ3E100MNTB1
类别：FET - 单
制造商：Rohm Semiconductor
封装：
描述：MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8
系列：-
FET型：
FET特点：
漏极至源极电压333Vdss444：
电流_连续漏极333Id4440a025000C：
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：
Id时的Vgs333th444111最大222：
闸电荷333Qg4440a0Vgs：
输入电容333Ciss4440a0Vds：
功率_最大：
安装类型：
封装__外壳：
供应商设备封装：
包装：
