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详细参数
型号:RP1H065SPTR
类别:FET - 单
制造商:Rohm Semiconductor
封装:6-SMD,扁平引线
描述:MOSFET P-CH 45V 6.5A MPT6
系列:-
FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:45V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:6.5A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:31 毫欧 @ 6.5A,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:3V @ 1mA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:28nC @ 5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:3200pF @ 10V
功率_最大:2W
安装类型:表面贴装
封装__外壳:6-SMD,扁平引线
供应商设备封装:MPT6
包装:Digi-Reel®
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厂 商:DEC [ DIOTEC Electronics Corporation ]
描 述:1 AMP FAST RECOVERY SILICON DIODES
大 小:338K
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查询更多RP1H335M05011供应信息         发布时间:1970/1/1 8:00:00

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