型号：RP1A090ZPTR
类别：FET - 单
制造商：Rohm Semiconductor
封装：6-SMD，扁平引线
描述：MOSFET P-CH 12V 9A MPT6
系列：-
FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET特点：逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444：12V
电流_连续漏极333Id4440a025000C：9A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：12 毫欧 @ 9A，4.5V
Id时的Vgs333th444111最大222：1V @ 1mA
闸电荷333Qg4440a0Vgs：59nC @ 4.5V
输入电容333Ciss4440a0Vds：7400pF @ 6V
功率_最大：2W
安装类型：表面贴装
封装__外壳：6-SMD，扁平引线
供应商设备封装：MPT6
包装：Digi-Reel®
厂 商：DEC [ DIOTEC Electronics Corporation ]
描 述：1 AMP FAST RECOVERY SILICON DIODES
大 小：338K
