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详细参数
型号:RJK6024DPD-00#J2
类别:FET - 单
制造商:Renesas Electronics America
封装:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
描述:MOSFET N-CH 600V 0.4A MP3A
系列:-
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:600V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:400mA
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:42 欧姆 @ 200mA,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:-
闸电荷333Qg4440a0Vgs:4.3nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:37.5pF @ 25V
功率_最大:27.2W
安装类型:表面贴装
封装__外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装:MP-3A
包装:带卷 (TR)
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厂 商:RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
描 述:600V -30A - SJ MOS FET High Speed Power Switching
大 小:102K
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