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详细参数
型号:RJK2055DPA-00#J0
类别:FET - 单
制造商:Renesas Electronics America
封装:8-WDFN 裸露焊盘
描述:MOSFET N-CH 200V W-PAK
系列:-
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:200V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:20A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:69 毫欧 @ 10A,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:-
闸电荷333Qg4440a0Vgs:38nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:2400pF @ 25V
功率_最大:30W
安装类型:表面贴装
封装__外壳:8-WDFN 裸露焊盘
供应商设备封装:8-WPAK
包装:Digi-Reel®
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厂 商:RENESAS [ RENESAS ]
描 述:Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
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