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详细参数
型号:RFP12N10L
类别:FET - 单
制造商:Fairchild Semiconductor
封装:TO-220-3
描述:MOSFET N-CH 100V 12A TO-220AB
系列:-
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:100V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:12A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:200 毫欧 @ 12A,5V
Id时的Vgs333th444111最大222:2V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:-
输入电容333Ciss4440a0Vds:900pF @ 25V
功率_最大:60W
安装类型:通孔
封装__外壳:TO-220-3
供应商设备封装:TO-220AB
包装:管件
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厂 商:ANAREN [ Anaren Microwave ]
描 述:Chip Terminations 4 Watts, 50ohm
大 小:510K
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GERMANY XIANZHOU GROUP CO., LTD
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