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详细参数
型号:RFD12N06RLE
类别:FET - 单
制造商:Fairchild Semiconductor
封装:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
描述:MOSFET N-CH 60V 18A IPAK
系列:UltraFET™
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:60V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:18A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:63 毫欧 @ 18A,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:3V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:15nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:485pF @ 25V
功率_最大:49W
安装类型:通孔
封装__外壳:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
供应商设备封装:I-Pak
包装:管件
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厂 商:INTERSIL [ INTERSIL CORPORATION ]
描 述:15A, 60V, 0.150 Ohm, P-Channel Power MOSFETs
大 小:89K
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