型号:QS8J1TR
类别:FET - 阵列
制造商:Rohm Semiconductor
封装:TSMT8
描述:MOSFET P-CH 12V 4.5A TSMT8
系列:-
FET型:2 个 P 沟道(双)
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:12V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:4.5A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:29 毫欧 @ 4.5A,4.5V
Id时的Vgs333th444111最大222:1V @ 1mA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:31nC @ 4.5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:2450pF @ 6V
功率_最大:1.25W
安装类型:表面贴装
封装__外壳:TSMT8
供应商设备封装:TSMT8
包装:剪切带 (CT)
厂 商:ROHM [ Rohm ]
描 述:1.5V Drive Pch MOSFET + PNP TRANSISTOR
大 小:1340K