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型号:  厂家:  批号:  封装:  精确搜索 
详细参数
型号:PTFB191501E V1
类别:RF FET
制造商:Infineon Technologies
封装:2-扁平封装,叶片引线
描述:FET RF LDMOS 150W H36248-2
系列:-
晶体管类型:LDMOS
频率:1.99GHz
增益:18dB
电压_测试:30V
额定电流:-
噪音数据:-
电流_测试:1.2A
功率_输出:150W
电压_额定:65V
封装__外壳:2-扁平封装,叶片引线
供应商设备封装:H-36248-2
包装:托盘
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厂 商:INFINEON [ Infineon Technologies AG ]
描 述:Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 240 W, 1805-1880 MHz
大 小:738K
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我们所销售产品涉及世界各名厂IC,:INFINEON(英飞凌),XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、ATMEL(爱特梅尔)、STC单片机、英特尔(Intel) 、德州仪器(TI)、飞利浦(Philips)、海力士(Hynix)、MITSUBISHI (三菱)、美国仿真器件(ADI)、国际整流器(IR)、台湾硅成(ICSI)、三星(Samsung)、瑞萨(Renesas)、东芝(Toshiba)、意法(ST)、摩托罗拉(Motorola)、仙童(Fairchid)、美国美商半导体(AMD)、爱特梅尔(Atmel)、安捷伦。
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