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详细参数

型号：PSMN003-30B,118

类别：FET - 单

制造商：NXP Semiconductors

封装：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB

描述：MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK

系列：TrenchMOS™

FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET特点：逻辑电平门

漏极至源极电压333Vdss444：30V

电流_连续漏极333Id4440a025000C：75A

开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：2.8 毫欧 @ 25A，10V

Id时的Vgs333th444111最大222：3V @ 1mA

闸电荷333Qg4440a0Vgs：170nC @ 10V

输入电容333Ciss4440a0Vds：9200pF @ 25V

功率_最大：230W

安装类型：表面贴装

封装__外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB

供应商设备封装：D2PAK

包装：带卷 (TR)

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厂商：NXP [ NXP ]

描述：N-channel 30 V 4.3 mΩ logic level MOSFET

大小：228K

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