型号：PMV60EN,215
类别：FET - 单
制造商：NXP Semiconductors
封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
描述：MOSFET N-CH 30V 4.7A SOT-23
系列：TrenchMOS™
FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET特点：逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444：30V
电流_连续漏极333Id4440a025000C：4.7A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：55 毫欧 @ 2A，10V
Id时的Vgs333th444111最大222：2V @ 1mA
闸电荷333Qg4440a0Vgs：9.4nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds：350pF @ 30V
功率_最大：2W
安装类型：表面贴装
封装__外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商设备封装：TO-236AB
包装：带卷 (TR)
厂 商：PHILIPS [ NXP Semiconductors ]
描 述：20 V, 5.8 A N-channel Trench MOSFET
大 小：839K
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