型号:PMV117EN,215
类别:FET - 单
制造商:NXP Semiconductors
封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
描述:MOSFET N-CH 30V 2.5A SOT23
系列:TrenchMOS™
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:30V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:2.5A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:117 毫欧 @ 500mA,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:2V @ 1mA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:4.6nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:147pF @ 10V
功率_最大:830mW
安装类型:表面贴装
封装__外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装:TO-236AB
包装:Digi-Reel®
厂 商:PHILIPS [ NXP Semiconductors ]
描 述:20 V, 5.8 A N-channel Trench MOSFET
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