型号：PMGD130UN,115
类别：FET - 阵列
制造商：NXP Semiconductors
封装：*
描述：MOSFET N-CH DUAL 20V SC-88
系列：-
FET型：2 个 N 沟道（双）
FET特点：逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444：20V
电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.2A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：145 mOhm @ 1.2A, 4.5V
Id时的Vgs333th444111最大222：1V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs：1.3nC @ 4.5V
输入电容333Ciss4440a0Vds：83pF @ 10V
功率_最大：260mW
安装类型：*
封装__外壳：*
供应商设备封装：*
包装：*
厂 商：PHILIPS [ PHILIPS SEMICONDUCTORS ]
描 述：N-channel mTrenchMOS extremely low level FET
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