型号:PMDT290UCE,115
类别:FET - 阵列
制造商:NXP Semiconductors
封装:SOT-563,SOT-666
描述:MOSFET NCH DUAL 20V 800MA SOT666
系列:-
FET型:2 个 N 沟道(双)
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:20V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:800mA
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:380 毫欧 @ 500mA,4.5V
Id时的Vgs333th444111最大222:0.95V @ 250µ:A
闸电荷333Qg4440a0Vgs:0.68nC @ 4.5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:83pF @ 10V
功率_最大:330mW
安装类型:表面贴装
封装__外壳:SOT-563,SOT-666
供应商设备封装:SOT-666
包装:带卷 (TR)
厂 商:CENTRAL [ Central Semiconductor Corp ]
描 述:SILICON POWER DARLING TRANSISTORSl
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