型号：PHT6N06LT,135
类别：FET - 单
制造商：NXP Semiconductors
封装：TO-261-4，TO-261AA
描述：MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT223
系列：TrenchMOS™
FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET特点：逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444：55V
电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.5A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：150 毫欧 @ 5A，5V
Id时的Vgs333th444111最大222：2V @ 1mA
闸电荷333Qg4440a0Vgs：4.5nC @ 5V
输入电容333Ciss4440a0Vds：330pF @ 25V
功率_最大：8.3W
安装类型：表面贴装
封装__外壳：TO-261-4，TO-261AA
供应商设备封装：SC-73
包装：Digi-Reel®
厂 商：VISHAY [ Vishay Siliconix ]
描 述：High Precision Wraparound - High Temperature (230 °C) Thin Film Chip Resistors
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