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详细参数

型号：PHP63NQ03LT,127

类别：FET - 单

制造商：NXP Semiconductors

封装：TO-220-3

描述：MOSFET N-CH 30V 68.9A TO220AB

系列：TrenchMOS™

FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET特点：逻辑电平门

漏极至源极电压333Vdss444：30V

电流_连续漏极333Id4440a025000C：68.9A

开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：13 毫欧 @ 25A，10V

Id时的Vgs333th444111最大222：2.5V @ 1mA

闸电荷333Qg4440a0Vgs：9.6nC @ 5V

输入电容333Ciss4440a0Vds：920pF @ 25V

功率_最大：111W

安装类型：通孔

封装__外壳：TO-220-3

供应商设备封装：TO-220AB

包装：管件

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厂商：PHILIPS [ PHILIPS SEMICONDUCTORS ]

描述：PowerMOS transistors Avalanche energy rated

大小：79K

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经营业务:电阻电容、世界各名厂IC，我们所销售产品涉及：ATMEL（爱特梅尔） STC单片机 ALTERA（阿特拉）英特尔（Intel）、德州仪器（TI）、飞利浦（Philips）、海力士（Hynix）、美国仿真器件（ADI）、国际整流器（IR）、台湾硅成（ICSI）、三星（Samsung）、瑞萨（Renesas）、东芝（Toshiba）、意法（ST）、摩托罗拉（Motorola）、仙童（Fairchid）、美国美商半导体（AMD）、爱特梅尔（Atmel）、惠普（HP）、安捷伦（Agilent）、达拉斯（Dallas）、美信（Maxim）、纳斯达克（Altera）、赛普拉斯（CY）、日立（Hitachi）、Broadcom、Xilinx、哈利斯（Harrsi）、英赛尔（Intersil）、美国集成器件（IDT）、芯成（ISSI）、凌特（Linear）、美国LSI逻辑公司（LSI）、微芯（Microchip）、三菱（Mitsubishi）、美国国家半导体（NS）、日本冲电气（OKI）、Realtek、罗姆（Rohm）、三洋（Sanyo）、索尼（Sony）等…

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主营业务：经营业务:电阻,电容、二三极管，晶振，世界各名厂IC，模块，我们所销售产品涉及：Xilinx、 ALTERA（阿特拉）美国仿真器件（ADI）、Freescale(飞思卡尔）英特尔（Intel）、德州仪器（TI）、飞利浦（Philips）、海力士（Hynix）、ATMEL（爱特梅尔） STC单片机国际整流器（IR）、台湾硅成（ICSI）、三星（Samsung）、瑞萨（Renesas）、东芝（Toshiba）、意法（ST）、摩托罗拉（Motorola）、仙童（Fairchid）、美国美商半导体（AMD）、爱特梅尔（Atmel）、惠普（HP）、安捷伦（Agilent）、达拉斯（Dallas）、美信（Maxim）、纳斯达克（Altera）、赛普拉斯（CY）、日立（Hitachi）、Broadcom、哈利斯（Harrsi）、英赛尔（Intersil）、美国集成器件（IDT）、芯成（ISSI）、凌特（Linear）、美国LSI逻辑公司（LSI）、微芯（Microchip）、三菱（Mitsubishi）、美国国家半导体（NS）、日本冲电气（OKI）、Realtek、罗姆（Rohm）、三洋（Sanyo）、索尼（Sony）等…

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