型号：PHN203,518
类别：FET - 阵列
制造商：NXP Semiconductors
封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
描述：MOSFET N-CH 30V 6.3A SOT96-1
系列：TrenchMOS™
FET型：2 个 N 沟道（双）
FET特点：逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444：30V
电流_连续漏极333Id4440a025000C：6.3A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：30 毫欧 @ 7A，10V
Id时的Vgs333th444111最大222：2V @ 1mA
闸电荷333Qg4440a0Vgs：14.6nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds：560pF @ 20V
功率_最大：2W
安装类型：表面贴装
封装__外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商设备封装：8-SO
包装：带卷 (TR)
厂 商：PHILIPS [ PHILIPS SEMICONDUCTORS ]
描 述：TrenchMOS transistor Logic level FET
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