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型号:  厂家:  批号:  封装:  精确搜索 
详细参数
型号:PHN203,518
类别:FET - 阵列
制造商:NXP Semiconductors
封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
描述:MOSFET N-CH 30V 6.3A SOT96-1
系列:TrenchMOS™
FET型:2 个 N 沟道(双)
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:30V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:6.3A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:30 毫欧 @ 7A,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:2V @ 1mA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:14.6nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:560pF @ 20V
功率_最大:2W
安装类型:表面贴装
封装__外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装:8-SO
包装:带卷 (TR)
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厂 商:PHILIPS [ PHILIPS SEMICONDUCTORS ]
描 述:Dual N-channel enhancement mode MOS transistor
大 小:90K
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经营业务:电阻电容、世界各名厂IC, 我们所销售产品涉及:ATMEL(爱特梅尔) STC单片机 ALTERA(阿特拉 ) 英特尔(Intel) 、德州仪器(TI) 、飞利浦(Philips) 、海力士(Hynix) 、美国仿真器件(ADI)、国际整流器(IR)、台湾硅成(ICSI)、三星(Samsung)、瑞萨(Renesas)、东芝(Toshiba)、意法(ST)、摩托罗拉(Motorola)、仙童(Fairchid)、美国美商半导体(AMD)、爱特梅尔(Atmel)、惠普(HP)、安捷伦(Agilent)、达拉斯(Dallas)、美信(Maxim)、纳斯达克(Altera)、赛普拉斯(CY)、日立(Hitachi)、Broadcom、Xilinx、哈利斯(Harrsi)、英赛尔(Intersil)、美国集成器件(IDT)、芯成(ISSI)、凌特(Linear)、美国LSI逻辑公司(LSI)、微芯(Microchip)、三菱(Mitsubishi)、美国国家半导体(NS)、日本冲电气(OKI)、Realtek、罗姆(Rohm)、三洋(Sanyo)、索尼(Sony)等…
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经营产品:IC、二极管、三极管、场效应管、可控硅、固定电阻器、微调电位器、电位器、电容器、继电器、压电陶瓷元件、石英晶体器件、声表面器件、开关、扬声器、扬声器配件、电子调谐器、连接器、保险丝、印刷线路板、显示屏、变压器、电源、传感器、电感器、变频器、逆变器、整流器、电子管、放大器、放电管、微波磁控管、光电子、电池、 天线、仪器 显周网站www.ezone24.com
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PHI
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NXP
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PHILIPS/飞利浦
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NXP/恩智浦
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NXP
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