型号：PHM21NQ15T,518
类别：FET - 单
制造商：NXP Semiconductors
封装：8-VDFN 裸露焊盘
描述：MOSFET N-CH 150V 22.2A SOT685-1
系列：TrenchMOS™
FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET特点：逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444：150V
电流_连续漏极333Id4440a025000C：22.2A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：55 毫欧 @ 15A，10V
Id时的Vgs333th444111最大222：4V @ 1mA
闸电荷333Qg4440a0Vgs：36.2nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds：2080pF @ 25V
功率_最大：62.5W
安装类型：表面贴装
封装__外壳：8-VDFN 裸露焊盘
供应商设备封装：8-HVSON
包装：带卷 (TR)
厂 商：POLYFET [ Polyfet RF Devices ]
描 述：The PHM008 is a dual stage amplifier specifically designed for Land Mobile
大 小：39K
QQ：280773285 复制
