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详细参数
型号:PHM12NQ20T,518
类别:FET - 单
制造商:NXP Semiconductors
封装:8-VDFN 裸露焊盘
描述:MOSFET N-CH 200V 14.4A SOT685-1
系列:TrenchMOS™
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:200V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:14.4A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:130 毫欧 @ 12A,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:4V @ 1mA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:26nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:1230pF @ 25V
功率_最大:62.5W
安装类型:表面贴装
封装__外壳:8-VDFN 裸露焊盘
供应商设备封装:8-HVSON
包装:带卷 (TR)
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厂 商:POLYFET [ Polyfet RF Devices ]
描 述:The PHM008 is a dual stage amplifier specifically designed for Land Mobile
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PHM10030DLS
NXP
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3395
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19850
19850
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6000
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PHM10030DLS
NXP/恩智浦
22+
8240
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