型号：PHK04P02T,518
类别：FET - 单
制造商：NXP Semiconductors
封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
描述：MOSFET P-CH 16V 4.66A 8-SOIC
系列：-
FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET特点：逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444：16V
电流_连续漏极333Id4440a025000C：4.66A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：120 毫欧 @ 1A，4.5V
Id时的Vgs333th444111最大222：600mV @ 1mA
闸电荷333Qg4440a0Vgs：7.2nC @ 4.5V
输入电容333Ciss4440a0Vds：528pF @ 12.8V
功率_最大：5W
安装类型：表面贴装
封装__外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商设备封装：8-SO
包装：带卷 (TR)
厂 商：PHILIPS [ PHILIPS SEMICONDUCTORS ]
描 述：P-channel enhancement mode MOS transistor
大 小：111K
