型号：PHB20N06T,118
类别：FET - 单
制造商：NXP Semiconductors
封装：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
描述：MOSFET N-CH 55V 20.3A D2PAK
系列：TrenchMOS™
FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET特点：标准
漏极至源极电压333Vdss444：55V
电流_连续漏极333Id4440a025000C：20.3A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：75 毫欧 @ 10A，10V
Id时的Vgs333th444111最大222：4V @ 1mA
闸电荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds：483pF @ 25V
功率_最大：62W
安装类型：表面贴装
封装__外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商设备封装：D2PAK
包装：剪切带 (CT)
厂 商：PHILIPS [ PHILIPS SEMICONDUCTORS ]
描 述：N-channel enhancement mode field-effect transistor
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