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详细参数
型号:PH20100S,115
类别:FET - 单
制造商:NXP Semiconductors
封装:SC-100,SOT-669,4-LFPAK
描述:MOSFET N-CH 100V 34.3A LFPAK
系列:TrenchMOS™
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:100V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:34.3A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:23 毫欧 @ 10A,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:4V @ 1mA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:39nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:2264pF @ 25V
功率_最大:62.5W
安装类型:表面贴装
封装__外壳:SC-100,SOT-669,4-LFPAK
供应商设备封装:LFPAK,Power-SO8
包装:剪切带 (CT)
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厂 商:PHILIPS [ PHILIPS SEMICONDUCTORS ]
描 述:N-channel TrenchMOS standard level FET
大 小:85K
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GERMANY XIANZHOU GROUP CO., LTD
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