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型号:  厂家:  批号:  封装:  精确搜索 
详细参数
型号:PEMD10,115
类别:晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
制造商:NXP Semiconductors
封装:SOT-563,SOT-666
描述:TRANS NPN/PNP 50V 100MA SOT666
系列:-
晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
电流_集电极333Ic444111最大222:100mA
电压_集电极发射极击穿111最大222:50V
电阻器_基极333R1444111欧222:2.2k
电阻器_发射极333R2444111欧222:47k
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:100 @ 10mA,5V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度111最大222:100mV @ 250µA,5mA
电流_集电极截止111最大222:1µA
频率_转换:-
功率_最大:300mW
安装类型:表面贴装
封装__外壳:SOT-563,SOT-666
供应商设备封装:SOT-666
包装:带卷 (TR)
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厂 商:PHILIPS [ NXP Semiconductors ]
描 述:NPN/PNP resistor-equipped transistors
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PEMD19
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PEMD19
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PEMD19
PHILIPS
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