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详细参数

型号：PEMB1,115

类别：晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式

制造商：NXP Semiconductors

封装：SOT-563，SOT-666

描述：TRANS PNP/PNP 50V 100MA SOT666

系列：-

晶体管类型：2 个 PNP 预偏压式（双）

电流_集电极333Ic444111最大222：100mA

电压_集电极发射极击穿111最大222：50V

电阻器_基极333R1444111欧222：22k

电阻器_发射极333R2444111欧222：22k

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：60 @ 5mA，5V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度111最大222：150mV @ 500µA，10mA

电流_集电极截止111最大222：1µA

频率_转换：-

功率_最大：300mW

安装类型：表面贴装

封装__外壳：SOT-563，SOT-666

供应商设备封装：SOT-666

包装：带卷 (TR)

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厂商：NXP [ NXP ]

描述：PNP/PNP resistor-equipped transistors; R1 = 47 kW, R2 = 22 kW

大小：73K

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PEMB17

PHILIPS

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PEMB17

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NXP

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PEMB17

NXP SEMICONDUCTORS

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PEMB17

NXP

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