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详细参数

型号：P850-G120-WH

类别：电涌抑制 IC

制造商：Bourns Inc.

封装：6-SMD，无引线

描述：SURGE SUPP TBU 100MA 850VIMP SMD

系列：TBU™

电压_工作：425V

电压_箝位：-

技术：混合技术

功率333W444：-

电路数：2

应用：SLIC

封装__外壳：6-SMD，无引线

供应商器件封装：10-DFN（4x8.25）

包装：剪切带 (CT)

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厂商：ETC [ ETC ]

描述：N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor (Preliminary)

大小：28K

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查询更多P850-G-VC供应信息发布时间：1970/1/1 8:00:00

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