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详细参数

型号：NX2301P,215

类别：FET - 单

制造商：NXP Semiconductors

封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

描述：MOSFET P-CH 20V TO-236AB

系列：-

FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物

FET特点：逻辑电平门

漏极至源极电压333Vdss444：20V

电流_连续漏极333Id4440a025000C：2A

开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：120 毫欧 @ 1A，4.5V

Id时的Vgs333th444111最大222：1.1V @ 250µA

闸电荷333Qg4440a0Vgs：6nC @ 4.5V

输入电容333Ciss4440a0Vds：380pF @ 6V

功率_最大：400mW

安装类型：表面贴装

封装__外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商设备封装：TO-236AB

包装：带卷 (TR)

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厂商：MICROSEMI [ MICROSEMI CORPORATION ]

描述：SINGLE SUPPLY 12V SYNCHRONOUS PWM CONTROLLER WITH NMOS LDO CONTROLLER, POWER GOOD & ENABLES

大小：593K

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经营业务:电阻电容、世界各名厂IC，我们所销售产品涉及：ATMEL（爱特梅尔） STC单片机 ALTERA（阿特拉）英特尔（Intel）、德州仪器（TI）、飞利浦（Philips）、海力士（Hynix）、美国仿真器件（ADI）、国际整流器（IR）、台湾硅成（ICSI）、三星（Samsung）、瑞萨（Renesas）、东芝（Toshiba）、意法（ST）、摩托罗拉（Motorola）、仙童（Fairchid）、美国美商半导体（AMD）、爱特梅尔（Atmel）、惠普（HP）、安捷伦（Agilent）、达拉斯（Dallas）、美信（Maxim）、纳斯达克（Altera）、赛普拉斯（CY）、日立（Hitachi）、Broadcom、Xilinx、哈利斯（Harrsi）、英赛尔（Intersil）、美国集成器件（IDT）、芯成（ISSI）、凌特（Linear）、美国LSI逻辑公司（LSI）、微芯（Microchip）、三菱（Mitsubishi）、美国国家半导体（NS）、日本冲电气（OKI）、Realtek、罗姆（Rohm）、三洋（Sanyo）、索尼（Sony）等…

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经营产品：IC、二极管、三极管、场效应管、可控硅、固定电阻器、微调电位器、电位器、电容器、继电器、压电陶瓷元件、石英晶体器件、声表面器件、开关、扬声器、扬声器配件、电子调谐器、连接器、保险丝、印刷线路板、显示屏、变压器、电源、传感器、电感器、变频器、逆变器、整流器、电子管、放大器、放电管、微波磁控管、光电子、电池、天线、仪器

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