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详细参数
型号:NX1029X,115
类别:FET - 阵列
制造商:NXP Semiconductors
封装:SOT-563,SOT-666
描述:MOSFET DUAL N/P-CH SOT666
系列:-
FET型:N 和 P 沟道
FET特点:*
漏极至源极电压333Vdss444:60V,50V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:410mA
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:-
Id时的Vgs333th444111最大222:-
闸电荷333Qg4440a0Vgs:-
输入电容333Ciss4440a0Vds:-
功率_最大:-
安装类型:表面贴装
封装__外壳:SOT-563,SOT-666
供应商设备封装:SOT-666
包装:带卷 (TR)
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厂 商:HIROSE [ Hirose Electric ]
描 述:Simple Assembly Type PC Card Frame Kits
大 小:316K
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HECC GROUP CO,LIMITED
HECC GROUP CO,LIMITED  蓝钻会员
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联系人:Sante Zhang/Mollie
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公司实况展示
主要业务
主營產品:FPGA/FBGA、驅動器、處理器、存儲系列、DSP、可編程門陣、運算放大器、轉換器、二次電源/模塊、熔斷器、輸入與非門、接收器、計時器 產品範圍:軍工級IC、宇航級IC、禁運IC、工業級IC、軍用二三極管、與DC轉換模塊等 應用領域:航空航天、船舶、汽車電子、軍用計算機設備、醫療電子、通信網絡、大型工業設備、電力工業等 主營品牌: 賽靈思(XILINX/AMD)、阿爾特拉(ALTERA/INTEL)、美高森美(Microsemi/ACTEL)、英特矽爾(INTERSIL)
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NX1007AS3
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