型号：NVMS10P02R2G
类别：FET - 单
制造商：ON Semiconductor
封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
描述：MOSFET P-CH 20V 10A 8SOIC
系列：-
FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET特点：标准
漏极至源极电压333Vdss444：20V
电流_连续漏极333Id4440a025000C：10A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：-
Id时的Vgs333th444111最大222：-
闸电荷333Qg4440a0Vgs：-
输入电容333Ciss4440a0Vds：-
功率_最大：-
安装类型：表面贴装
封装__外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商设备封装：8-SOIC N
包装：带卷 (TR)
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