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型号:  厂家:  批号:  封装:  精确搜索 
详细参数
型号:NVMFD5877NLT1G
类别:FET - 阵列
制造商:ON Semiconductor
封装:8-PowerTDFN
描述:MOSFET N-CH 60V 17A 8SOIC
系列:-
FET型:2 个 N 沟道(双)
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:60V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:6A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:39 毫欧 @ 7.5A,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:3V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:5.9nC @ 4.5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:540pF @ 25V
功率_最大:3.2W
安装类型:表面贴装
封装__外壳:8-PowerTDFN
供应商设备封装:8-DFN(5x6)
包装:带卷 (TR)
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厂 商:ETC [ ETC ]
描 述:4096-Bit EEPROM
大 小:591K
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NVMFSW6D1N08HT1G
ON(安森美)
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NVMFSW6D1N08HT1G
ON
23+
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NVMFSW6D1N08HT1G
ON
24+
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NVMFSW6D1N08HT1G
onsemi
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NVMFSW6D1N08HT1G
onsemi
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查询更多NVMFSW6D1N08HT1G供应信息         发布时间:2025/6/30 15:34:00

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