型号：NVMFD5877NLT1G
类别：FET - 阵列
制造商：ON Semiconductor
封装：8-PowerTDFN
描述：MOSFET N-CH 60V 17A 8SOIC
系列：-
FET型：2 个 N 沟道（双）
FET特点：逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444：60V
电流_连续漏极333Id4440a025000C：6A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：39 毫欧 @ 7.5A，10V
Id时的Vgs333th444111最大222：3V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs：5.9nC @ 4.5V
输入电容333Ciss4440a0Vds：540pF @ 25V
功率_最大：3.2W
安装类型：表面贴装
封装__外壳：8-PowerTDFN
供应商设备封装：8-DFN（5x6）
包装：带卷 (TR)
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