型号:NVMD3P03R2G
类别:FET - 阵列
制造商:ON Semiconductor
封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
描述:MOSFET P CH 30V 2.34A 8-SOIC
系列:-
FET型:2 个 P 沟道(双)
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:30V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:2.34A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:85 毫欧 @ 3.05A,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:2.5V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:25nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:750pF @ 24V
功率_最大:730mW
安装类型:表面贴装
封装__外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装:8-SOIC
包装:带卷 (TR)