型号:NVD6415ANLT4G
类别:FET - 单
制造商:ON Semiconductor
封装:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
描述:MOSFET N-CH 100V 23A DPAK-4
系列:-
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:100V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:23A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:52 毫欧 @ 10A,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:2V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 4.5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:1024pF @ 25V
功率_最大:83W
安装类型:表面贴装
封装__外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装:D-Pak
包装:带卷 (TR)
厂 商:EDI [ Electronic devices inc. ]
描 述:NIGHT VISION H.V. RECTIFIER DIODES & ARRAYS
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