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详细参数
型号:NTTD1P02R2
类别:FET - 阵列
制造商:ON Semiconductor
封装:8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽)
描述:MOSFET P-CHAN DUAL 20V 8MICRO
系列:-
FET型:2 个 P 沟道(双)
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:20V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:1.45A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:160 毫欧 @ 1.45A,4.5V
Id时的Vgs333th444111最大222:1.4V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:10nC @ 4.5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:265pF @ 16V
功率_最大:500mW
安装类型:表面贴装
封装__外壳:8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽)
供应商设备封装:Micro8?
包装:带卷 (TR)
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厂 商:ON [ ON SEMICONDUCTOR ]
描 述:Power MOSFET -1.45 Amps, -20 Volts
大 小:77K
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